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【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【O】【F】【w】【e】【e】【k】【<】【s】【p】【a】【n】【 】【c】【l】【a】【s】【s】【=】【'】【h】【r】【e】【f】【S】【t】【y】【l】【e】【'】【>】【电】【子】【工】【程】【<】【/】【s】【p】【a】【n】【>】【网】【讯】【 】【莫】【斯】【科】【物】【理】【技】【能】【学】【院】【(】【M】【I】【P】【T】【)】【宣】【称】【成】【功】【为】【R】【e】【R】【A】【M】【开】【发】【出】【新】【的】【制】【程】【,】【可】【望】【为】【其】【完】【成】【适】【于】【3】【D】【堆】【叠】【的】【薄】【膜】【技】【能】【…】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【可】【变】【电】【阻】【式】【随】【机】【存】【取】【记】【忆】【体】【(】【R】【e】【R】【A】【M】【)】【是】【一】【种】【可】【望】【替】【代】【别】【的】【各】【种】【贮】【存】【类】【型】【的】【“】【通】【用】【”】【记】【忆】【体】【,】【不】【只】【供】【给】【了】【随】【机】【存】【取】【记】【忆】【体】【(】【R】【A】【M】【)】【的】【速】【度】【,】【又】【兼】【具】【快】【闪】【记】【忆】【体】【(】【 】【f】【l】【a】【s】【h】【)】【的】【密】【度】【与】【非】【挥】【发】【性】【。】【但】【是】【,】【现】【在】【,】【f】【l】【a】【s】【h】【由】【于】【抢】【先】【进】【入】【3】【D】【年】【代】【而】【较】【R】【e】【R】【A】【M】【更】【胜】【一】【筹】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【现】【在】【,】【莫】【斯】【科】【物】【理】【技】【能】【学】【院】【(】【M】【o】【s】【c】【o】【w】【 】【I】【n】【s】【t】【i】【t】【u】【t】【e】【 】【o】【f】【 】【P】【h】【y】【s】【i】【c】【s】【 】【a】【n】【d】【 】【T】【e】【c】【h】【n】【o】【l】【o】【g】【y】【;】【M】【I】【P】【T】【)】【的】【研】【讨】【人】【员】【已】【成】【功】【为】【R】【e】【R】【A】【M】【开】【发】【出】【新】【的】【制】【程】【,】【可】【望】【为】【其】【完】【成】【适】【于】【3】【D】【堆】【叠】【的】【薄】【膜】【技】【能】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【R】【e】【R】【A】【M】【的】【研】【制】【通】【常】【选】【用】【忆】【阻】【器】【进】【行】【,】【其】【间】【,】【在】【介】【电】【层】【中】【搬】【迁】【的】【氧】【空】【缺】【(】【o】【x】【y】【g】【e】【n】【 】【v】【a】【c】【a】【n】【c】【y】【)】【,】【将】【电】【介】【质】【的】【电】【阻】【改】【变】【为】【‘】【1】【&】【#】【3】【9】【;】【与】【‘】【0】【&】【#】【3】【9】【;】【。】【除】【了】【M】【I】【P】【T】【,】【还】【有】【来】【自】【4】【D】【S】【 】【M】【e】【m】【o】【r】【y】【 】【L】【t】【d】【.】【、】【C】【r】【o】【s】【s】【b】【a】【r】【 】【I】【n】【c】【.】【、】【H】【P】【 】【I】【n】【c】【.】【、】【K】【n】【o】【w】【m】【 】【I】【n】【c】【.】【以】【及】【美】【国】【德】【州】【莱】【斯】【大】【学】【(】【R】【i】【c】【e】【 】【U】【n】【i】【v】【e】【r】【s】【i】【t】【y】【)】【的】【研】【讨】【人】【员】【们】【也】【为】【R】【e】【R】【A】【M】【发】【明】【了】【原】【型】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【对】【于】【3】【D】【 】【R】【e】【R】【A】【M】【,】【M】【I】【P】【T】【科】【学】【家】【K】【o】【n】【s】【t】【a】【n】【t】【i】【n】【 】【E】【g】【o】【r】【o】【v】【表】【明】【,】【“】【咱】【们】【不】【只】【需】【求】【在】【介】【电】【层】【中】【构】【成】【氧】【空】【缺】【,】【还】【有】【必】【要】【为】【其】【进】【行】【检】【查】【”】【。】【为】【此】【,】【M】【I】【P】【T】【的】【研】【讨】【人】【员】【们】【选】【用】【的】【办】【法】【是】【,】【在】【呈】【现】【氧】【空】【缺】【的】【介】【电】【层】【中】【,】【调】【查】【其】【能】【隙】【中】【的】【电】【子】【状】【况】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【E】【g】【o】【r】【o】【v】【说】【:】【“】【为】【了】【研】【讨】【在】【氧】【化】【钽】【薄】【膜】【成】【长】【过】【程】【中】【构】【成】【的】【氧】【空】【缺】【,】【咱】【们】【运】【用】【了】【一】【种】【结】【合】【成】【长】【P】【E】【A】【L】【D】【(】【电】【浆】【辅】【佐】【原】【子】【层】【堆】【积】【)】【和】【剖】【析】【X】【P】【S】【(】【X】【射】【线】【光】【电】【子】【能】【谱】【仪】【)】【腔】【室】【(】【以】【真】【空】【管】【相】【互】【衔】【接】【)】【的】【试】【验】【丛】【集】【。】【该】【丛】【集】【让】【咱】【们】【能】【成】【长】【和】【研】【讨】【堆】【积】【层】【,】【而】【不】【至】【于】【损】【坏】【真】【空】【状】【况】【。】【”】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【他】【着】【重】【,】【“】【这】【一】【点】【非】【常】【重】【要】【,】【由】【于】【一】【旦】【从】【真】【空】【中】【取】【出】【试】【验】【样】【本】【,】【介】【电】【质】【的】【奈】【米】【层】【就】【会】【在】【其】【表】【面】【上】【氧】【化】【,】【致】【使】【氧】【空】【缺】【的】【不】【见】【。】【”】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【c】【e】【n】【t】【e】【r】【"】【>】【<】【i】【m】【g】【 】【t】【i】【t】【l】【e】【=】【"】【R】【e】【R】【A】【M】【行】【将】【跨】【入】【3】【D】【年】【代】【"】【 】【a】【l】【t】【=】【"】【R】【e】【R】【A】【M】【行】【将】【跨】【入】【3】【D】【年】【代】【"】【 】【s】【r】【c】【=】【"】【/】【u】【p】【l】【o】【a】【d】【s】【/】【a】【l】【l】【i】【m】【g】【/】【1】【7】【0】【7】【0】【4】【/】【2】【0】【1】【7】【0】【7】【0】【4】【1】【6】【5】【7】【3】【6】【w】【b】【e】【2】【y】【j】【t】【j】【z】【p】【w】【1】【2】【8】【7】【.】【j】【p】【g】【"】【/】【>】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【c】【e】【n】【t】【e】【r】【;】【"】【>】【用】【于】【成】【长】【和】【研】【讨】【薄】【膜】【的】【试】【验】【丛】【集】【,】【可】【在】【真】【空】【状】【况】【下】【完】【成】【3】【D】【堆】【叠】【(】【来】【历】【:】【M】【I】【P】【T】【)】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【任】【何】【半】【导】【体】【研】【讨】【试】【验】【室】【都】【可】【以】【建】【构】【这】【种】【一】【起】【的】【原】【子】【层】【堆】【积】【(】【A】【L】【D】【)】【丛】【集】【,】【其】【方】【法】【是】【衔】【接】【P】【E】【A】【L】【D】【和】【X】【P】【S】【腔】【室】【,】【然】【后】【再】【增】【加】【自】【动】【操】【纵】【器】【,】【在】【腔】【室】【之】【间】【传】【输】【晶】【圆】【。】【除】【了】【样】【本】【测】【验】【晶】【圆】【以】【外】【,】【在】【大】【量】【生】【产】【时】【并】【不】【需】【求】【这】【种】【丛】【集】【。】【但】【是】【,】【有】【必】【要】【树】【立】【一】【条】【的】【的】【组】【装】【线】【,】【以】【赔】【偿】【A】【L】【D】【薄】【膜】【缓】【慢】【的】【成】【长】【速】【度】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【假】【如】【这】【些】【研】【讨】【取】【得】【成】【功】【,】【M】【I】【P】【T】【宣】【称】【所】【发】【生】【的】【R】【e】【R】【A】【M】【就】【可】【以】【笔】【直】【堆】【叠】【,】【成】【果】【一】【种】【可】【战】【胜】【3】【D】【 】【f】【l】【a】【s】【h】【约】【束】【的】【通】【用】【记】【忆】【体】【;】【现】【在】【,】【3】【D】【 】【f】【l】【a】【s】【h】【仅】【限】【于】【6】【4】【层】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【c】【e】【n】【t】【e】【r】【"】【>】【<】【i】【m】【g】【 】【t】【i】【t】【l】【e】【=】【"】【R】【e】【R】【A】【M】【行】【将】【跨】【入】【3】【D】【年】【代】【"】【 】【a】【l】【t】【=】【"】【R】【e】【R】【A】【M】【行】【将】【跨】【入】【3】【D】【年】【代】【"】【 】【s】【r】【c】【=】【"】【/】【u】【p】【l】【o】【a】【d】【s】【/】【a】【l】【l】【i】【m】【g】【/】【1】【7】【0】【7】【0】【4】【/】【2】【0】【1】【7】【0】【7】【0】【4】【1】【6】【5】【7】【3】【8】【w】【s】【0】【r】【m】【p】【g】【w】【h】【p】【t】【1】【2】【9】【5】【.】【j】【p】【g】【"】【/】【>】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【c】【e】【n】【t】【e】【r】【;】【"】【>】【与】【堆】【积】【氧】【空】【缺】【氧】【化】【钽】【薄】【膜】【有】【关】【的】【化】【学】【反】【应】【期】【间】【(】【左】【)】【,】【以】【及】【透】【过】【X】【射】【线】【光】【电】【子】【能】【谱】【仪】【进】【行】【剖】【析】【的】【成】【果】【(】【右】【)】【。】【(】【来】【历】【:】【M】【I】【P】【T】【)】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【尽】【管】【A】【L】【D】【的】【成】【长】【缓】【慢】【,】【但】【它】【能】【完】【成】【3】【D】【构】【造】【的】【共】【形】【涂】【层】【,】【替】【代】【M】【I】【P】【T】【和】【别】【的】【研】【讨】【试】【验】【室】【迄】【今】【所】【运】【用】【的】【奈】【米】【薄】【膜】【堆】【积】【技】【能】【。】【其】【要】【害】【的】【差】【异】【在】【于】【A】【L】【D】【顺】【次】【将】【基】【底】【露】【出】【于】【前】【体】【资】【料】【和】【反】【应】【物】【资】【料】【,】【而】【且】【取】【决】【于】【二】【者】【之】【间】【的】【化】【学】【反】【应】【以】【发】【生】【自】【动】【层】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【M】【I】【P】【T】【的】【技】【能】【还】【运】【用】【衔】【接】【至】【金】【属】【前】【体】【的】【化】【学】【分】【子】【配】【体】【,】【以】【便】【加】【快】【化】【学】【反】【应】【,】【但】【在】【用】【于】【元】【件】【的】【自】【动】【层】【之】【前】【有】【必】【要】【先】【移】【除】【这】【种】【配】【体】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【M】【I】【P】【T】【首】【席】【研】【讨】【员】【A】【n】【d】【r】【e】【y】【 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】【E】【g】【o】【r】【o】【v】【、】【A】【n】【d】【r】【e】【y】【 】【M】【a】【r】【k】【e】【e】【v】【和】【Y】【u】【r】【y】【 】【L】【e】【b】【e】【d】【i】【n】【s】【k】【i】【y】【,】【及】【其】【背】【面】【的】【原】【子】【层】【堆】【积】【机】【器】【。】【(】【来】【历】【:】【M】【I】【P】【T】【)】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【接】【下】【来】【,】【研】【讨】【人】【员】【计】【划】【为】【这】【一】【流】【程】【进】【行】【最】【佳】【化】【,】【并】【进】【步】【A】【L】【D】【的】【速】【度】【,】【从】【而】【为】【3】【D】【 】【R】【e】【R】【A】【M】【完】【成】【大】【量】【生】【产】【。】【<】【/】【p】【>】【<】【p】【 】【s】【t】【y】【l】【e】【=】【"】【t】【e】【x】【t】【-】【i】【n】【d】【e】【n】【t】【:】【 】【2】【e】【m】【;】【 】【t】【e】【x】【t】【-】【a】【l】【i】【g】【n】【:】【 】【l】【e】【f】【t】【;】【"】【>】【M】【I】【P】【T】【的】【研】【讨】【资】【金】【是】【由】【俄】【罗】【斯】【科】【学】【基】【金】【会】【(】【R】【S】【F】【)】【和】【M】【I】【P】【T】【一】【起】【供】【给】【。】【这】【项】【研】【讨】【细】【节】【已】【发】【表】【于】【《】【A】【C】【S】【使】【用】【资】【料】【和】【介】【面】【》】【(】【A】【C】【S】【 】【A】【p】【p】【l】【i】【e】【d】【 】【M】【a】【t】【e】【r】【i】【a】【l】【s】【 】【&】【a】【m】【p】【;】【 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